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Treffer: Structure bidirectionnelle en courant

Title:
Structure bidirectionnelle en courant
Authors:
BOURENNANE, Abdelhakim, MURA, Florian, SANCHEZ, Jean-Louis, RICHARDEAU, Frédéric, BREIL, Marie, AUSTIN, Patrick
Source:
Conversion de l'énergie et intégration en électronique de puissanceRevue internationale de génie électrique. 10(5):553-565
Publisher Information:
Cachan: Lavoisier, 2007.
Publication Year:
2007
Physical Description:
print, 1/4 p
Original Material:
INIST-CNRS
Subject Terms:
Electrical engineering, Electrotechnique, Sciences exactes et technologie, Exact sciences and technology, Sciences appliquees, Applied sciences, Electronique, Electronics, Electronique des semiconducteurs. Microélectronique. Optoélectronique. Dispositifs à l'état solide, Semiconductor electronics. Microelectronics. Optoelectronics. Solid state devices, Autres dispositifs multijonctions. Transistors de puissance. Thyristors, Other multijunction devices. Power transistors. Thyristors, Circuits intégrés, Integrated circuits, Conception. Technologies. Analyse fonctionnement. Essais, Design. Technologies. Operation analysis. Testing, Chute tension, Voltage fall, Caída tensión, Circuit intégré monolithique, Monolithic integrated circuit, Circuito integrado monolítico, Commutation, Switching, Conmutación, Diode couche intrinsèque, p i n diode, Diodo capa intrínseca, Stabilité tension, Voltage stability, Estabilidad tensión, Transistor bipolaire grille isolée, Insulated gate bipolar transistor, Transistor bipolar rejilla aislada, Transistor puissance, Power transistor, Transistor potencia, Visualisation, Visualization, Visualización, IGBT, association IGBT-PIN, diode PIN
Document Type:
Konferenz Conference Paper
File Description:
text
Language:
French
Author Affiliations:
Laboratoire d'analyse et d'architecture des systèmes 7, avenue du Colonel Roche, 31077 Toulouse, France
Laboratoire d'électrotechnique et d'électronique industrielle 2, rue Camichel, BP 7122, 31071 Toulouse, France
ISSN:
1295-490X
Access URL:
http://pascal-francis.inist.fr/vibad/index.php?action=search&terms=19158822
Rights:
Copyright 2007 INIST-CNRS
CC BY 4.0
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Notes:
Electronics
Accession Number:
edscal.19158822
Database:
PASCAL Archive

Weitere Informationen

Nous analysons à partir de simulations 2D et 3D une structure qui intègre monolithiquement un IGBT à bandes parallèles et une diode PIN de conduction inverse. Par rapport à un IGBT classique, la face arrière de cette structure est constituée de régions dopées P+ et N+. Nous montrons à partir de la visualisation de la répartition des porteurs dans une structure, l'influence de la diffusion N+ face arrière sur la chute de tension à l'état passant. Les simulations ont été effectuées premièrement sur une seule cellule puis elles ont été réalisées sur un grand nombre de cellules en respectant le critère de rapport de surfaces N+/(N+ + P+) sur la face arrière. Dans cet article, l'application que nous visons concerne le cas où la diode intégrée assure la conduction durant un temps très court pendant la commutation.