EL KAZZI, M., WEBB, D. J., MARCHIORI, C., CZORNOMAZ, L., ROSSEL, C., GERL, C., RICHTER, M., SOUSA, M., CAIMI, D., SIEGWART, H., & FOMPEYRINE, J. (2011, Januar 1). 1.2 nm capacitance equivalent thickness gate stacks on Si-passivated Ga As. 88(7). Amsterdam: Elsevier, 2011. Abgerufen von http://pascal-francis.inist.fr/vibad ndex.php?action=search&terms=24284416
ISO-690 (author-date, English)EL KAZZI, M, WEBB, D. J, MARCHIORI, C, CZORNOMAZ, L, ROSSEL, C, GERL, C, RICHTER, M, SOUSA, M, CAIMI, D, SIEGWART, H und FOMPEYRINE, J, 2011. 1.2 nm capacitance equivalent thickness gate stacks on Si-passivated Ga As. In: [online]. Amsterdam: Elsevier, 2011. 1 Januar 2011. Available from: http://pascal-francis.inist.fr/vibad ndex.php?action=search&terms=24284416
Modern Language Association 9th editionEL KAZZI, M., D. J. WEBB, C. MARCHIORI, L. CZORNOMAZ, C. ROSSEL, C. GERL, M. RICHTER, M. SOUSA, D. CAIMI, H. SIEGWART, und J. FOMPEYRINE. 1.2 nm capacitance equivalent thickness gate stacks on Si-passivated Ga As. Nr. 7, Amsterdam: Elsevier, 2011., 2011, http://pascal-francis.inist.fr/vibad ndex.php?action=search&terms=24284416.
Mohr Siebeck - Recht (Deutsch - Österreich)Emerald - Harvard
EL KAZZI, M., WEBB, D.J., MARCHIORI, C., CZORNOMAZ, L., ROSSEL, C., GERL, C., RICHTER, M., SOUSA, M., CAIMI, D., SIEGWART, H. und FOMPEYRINE, J. (2011), „1.2 nm capacitance equivalent thickness gate stacks on Si-passivated Ga As“, in , Bd. 88, Amsterdam: Elsevier, 2011., verfügbar unter: http://pascal-francis.inist.fr/vibad ndex.php?action=search&terms=24284416.