Uebel, D., Kayser, S., Markurt, T., Ernst, O. C., Teubner, T., & Boeck, T. [ca. 2020]. Fast Raman mapping and in situ TEM observation of metal induced crystallization of amorphous silicon. In Preprint / Weierstraß-Institut für Angewandte Analysis und Stochastik [Cd]. Berlin: Weierstraß-Institut für Angewandte Analysis und Stochastik Leibniz-Institut im Forschungsverbund Berlin e.V. https://doi.org/10.20347/WIAS.PREPRINT.2772

UEBEL, David, KAYSER, Stefan, MARKURT, Toni, ERNST, Owen C., TEUBNER, Thomas und BOECK, Torsten, 2020. Fast Raman mapping and in situ TEM observation of metal induced crystallization of amorphous silicon. Berlin: Weierstraß-Institut für Angewandte Analysis und Stochastik Leibniz-Institut im Forschungsverbund Berlin e.V.

Uebel, D., S. Kayser, T. Markurt, O. C. Ernst, T. Teubner, und T. Boeck. „Fast Raman mapping and in situ TEM observation of metal induced crystallization of amorphous silicon“. Preprint / Weierstraß-Institut für Angewandte Analysis und Stochastik, cd, Weierstraß-Institut für Angewandte Analysis und Stochastik Leibniz-Institut im Forschungsverbund Berlin e.V., 2020, https://doi.org/10.20347/WIAS.PREPRINT.2772.

Uebel, David/Kayser, Stefan/Markurt, Toni/Ernst, Owen C./Teubner, Thomas/Boeck, Torsten: Fast Raman mapping and in situ TEM observation of metal induced crystallization of amorphous silicon, Berlin 2020.

Uebel, D., Kayser, S., Markurt, T., Ernst, O.C., Teubner, T. und Boeck, T. (2020), Fast Raman mapping and in situ TEM observation of metal induced crystallization of amorphous silicon, Preprint / Weierstraß-Institut für Angewandte Analysis und Stochastik, Bd. , Weierstraß-Institut für Angewandte Analysis und Stochastik Leibniz-Institut im Forschungsverbund Berlin e.V., Berlin, verfügbar unter:https://doi.org/10.20347/WIAS.PREPRINT.2772.