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Treffer: Fast Raman mapping and in situ TEM observation of metal induced crystallization of amorphous silicon

Titel:
Fast Raman mapping and in situ TEM observation of metal induced crystallization of amorphous silicon / Weierstraß-Institut für Angewandte Analysis und Stochastik Leibniz-Institut im Forschungsverbund Berlin e.V. ; David Uebel (Leibniz-Institut für Kristallzüchtung), Stefan Kayser (Weierstrass Institute), Toni Markurt, Owen C. Ernst, Thomas Teubner, Torsten Boeck (Leibniz-Institut für Kristallzüchtung)
Beteiligt:
Uebel, David (Verfasser); Kayser, Stefan (Verfasser); Markurt, Toni (Verfasser) ; Ernst, Owen C. (Verfasser); Teubner, Thomas (Verfasser); Boeck, Torsten (Verfasser)
Körper­schaft:
Weierstraß-Institut für Angewandte Analysis und Stochastik (Herausgebendes Organ)
Veröffent­licht:
Berlin : Weierstraß-Institut für Angewandte Analysis und Stochastik Leibniz-Institut im Forschungsverbund Berlin e.V., 2020
Vertrieb:
Hannover : Technische Informationsbibliothek (TIB)
Umfang:
1 Online-Ressource (18 Seiten, 2,05 MB) : Illustrationen, Diagramme
Publikationstyp:
E-Book
Sprache:
Englisch
Schriftenreihe/­Mehrbändiges Werk:
Preprint / Weierstraß-Institut für Angewandte Analysis und Stochastik ; no. 2772
Anmerkungen:
Literaturverzeichnis: Seite 15-16
Schlagworte:
DOI:
10.20347/WIAS.PREPRINT.2772

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